Transistors
トランジスタは、電子信号の切り替え、増幅、または電力に使用される半導体デバイスです。トランジスタは、現代の電子回路の基本です。トランジスタは半導体材料で構成されており、通常、外部回路に接続するための3つの端子があります。トランジスタの端子の1つのペアに印加される電圧または電流は、別のペアの端子を流れる電流を制御します。制御（出力）電力は制御（入力）電力よりも高くなる可能性があるため、トランジスタは信号を増幅できます。現在、一部のトランジスタは個別にパッケージ化されていますが、さらに多くのトランジスタが集積回路に組み込まれています。
バイポーラ接合トランジスタの記号
トランジスタには、NPNとPNPの2種類があります。
NPNトランジスタには、2ブロックのN型半導体材料と1ブロックのP型半導体材料があります。
PNPトランジスタには、2つのP型と1つのN型材料の層があります。 NPNとPNPの両方のNPNの記号を次の図に示します。
NPNトランジスタとPNPトランジスタの違いは、電流の方向にあります。上の図の矢印は、エミッタ-ベース接合に順方向バイアスが適用された状態でのエミッタ内の一般的な電流の流れの方向を示しています。
トランジスタには、上記のように3つの端子があります。
エミッター
コレクタ
ベース
エミッター-エミッターセグメントは、電荷キャリアの大部分を供給します。エミッタは常にベースに対して順方向にバイアスされて接続されており、バルク電荷キャリアをベースに供給します。エミッタ-ベース接合は、固定が強く、サイズが中程度であるため、大量の多数電荷キャリアをベースに挿入します。
コレクター–コレクターは、エミッターによって供給される電荷キャリアの大部分を蓄積します。コレクタ-ベース接合は常に逆バイアスになっています。その機能は、ベースとの接合部から優勢な電荷を取り除くことです。トランジスタのコレクタセグメントは適度に固定されていますが、エミッタによって供給される電荷キャリアの大部分を収集できるように質量が大きくなっています。
ベース–トランジスタの中央部分がベースです。ベースは2つの回路を形成します：
エミッタ付きの入力回路。
コレクター付きの出力回路。
エミッタベース回路は順方向にバイアスされており、回路への抵抗が低くなっています。一方、コレクタ-ベース接合は逆バイアスであり、回路に対してより高い抵抗を提供します。トランジスタのベースは、大部分の電荷キャリアをベースに送るため、わずかに無容量で非常に薄いです。
シリコンは一般に、高電圧定格、大電流、低温度感度のトランジスタを作るために使用されます。順方向にバイアスされたままのエミッタ-ベースセクションは、ベース領域を流れるベース電流を確立します。ベース電流の大きさは非常に小さいです。ベース電流により、電子はコレクタ領域に移動するか、ベース領域にホールが作成されます。
トランジスタのベースは非常に薄く、軽く固定されているため、エミッタに比べて電子が少なくなっています。エミッタの制限された電子はベース領域の正孔と結合し、残りの電子はコレクタ領域に向かって移動し、コレクタ電流を構成します。